Fpv ড্রোন Uav-এর জন্য Senchtec 4.9GHz-5.8GHz 4W 64CH GaAs VTX ভিডিও ট্রান্সমিটার

পণ্য পরামিতি:

1. 64 চ্যানেল: 4.9GHz - 6.1GHz (4950MHz - 6050MHz)

2. সর্বোচ্চ আউটপুট পাওয়ার: 4W (নিয়ন্ত্রণযোগ্য: 25mW / 1W / 2W / 3W)

3. সরবরাহ ভোল্টেজ: DC 8 V - 36 V, 2 S-8 S Li-ion/Li-Po সামঞ্জস্যপূর্ণ

4. অ্যান্টেনা সংযোগকারী: SMA মহিলা

5. কন্ট্রোল প্রোটোকল: IRC ট্র্যাম্প

6. কুলিং: হিটসিঙ্ক এবং কুলিং ফ্যান সহ অ্যালুমিনিয়াম ঘের

7. মাউন্টিং প্যাটার্ন: 20 মিমি × 20 মিমি, ø 2.0 মিমি গর্ত

8. ওজন: 56 গ্রাম

একটি 4W ওয়্যারলেস ভিডিও ট্রান্সমিশন মডিউলের জন্য, একটি প্রচলিত সিলিকন (Si/CMOS) চিপের তুলনায় একটি গ্যালিয়াম আর্সেনাইড (GaAs) চিপ ব্যবহার করার সুবিধাগুলি কী কী?

এইবার, আসুন শুধুমাত্র GaAs বনাম  সাধারণ সিলিকন (Si/CMOS) চিপগুলিতে ফোকাস করি - ছবির বাইরে গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) বাদ দেওয়া। উপসংহারটি পরিষ্কার:  4W পাওয়ার স্তরে, GaAs হল একটি 'পেশাদার-গ্রেড' সমাধান, যেখানে সিলিকন একটি 'ভোক্তা-গ্রেড' আপস। বাস্তব জগতের অভিজ্ঞতার পার্থক্য যথেষ্ট।

তিনটি গুরুত্বপূর্ণ ক্ষেত্রে সুবিধাগুলি সবচেয়ে বেশি লক্ষণীয়:

1. ট্রান্সমিশন ডিসটেন্স এবং ওয়াল-পেনিট্রেশন ক্ষমতা (সিগন্যাল স্ট্রেন্থ)
এটি সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ পার্থক্য।

• 'ট্রু' আউটপুট পাওয়ার : সাধারণ সিলিকন চিপগুলির সাথে, 4W (36dBm) আউটপুটে ঠেলে সিগন্যাল মারাত্মকভাবে বিকৃত হয়। প্রকৃত কার্যকর শক্তি শুধুমাত্র 2-3W হতে পারে। GaAs, যাইহোক, চমৎকার লিনিয়ারিটি অফার করে এবং স্থিরভাবে একটি  পরিষ্কার 4W সংকেত প্রদান করতে পারে.

• উল্লেখযোগ্যভাবে বর্ধিত পরিসর : GaAs-এর উচ্চ দক্ষতা (PAE 56% অতিক্রম করতে পারে) মানে একই 4W পাওয়ার খরচের জন্য, আরও বৈদ্যুতিক শক্তি RF শক্তিতে রূপান্তরিত হয়। অনুশীলনে,  একটি GaAs মডিউলের সর্বাধিক সংক্রমণ দূরত্ব  একই অবস্থার অধীনে একটি সিলিকন-ভিত্তিক সমাধানের চেয়ে 30% -50% বেশি হতে পারে। অধিকন্তু, ভিডিও ফিড দীর্ঘ পরিসরে অনেক বেশি স্থিতিশীল থাকে, কম তোতলানো বা পিক্সেলেশন সহ।

2. তাপ অপচয় এবং ডিভাইসের স্থায়িত্ব (হ্যান্ডলিং এবং নিরাপত্তা)

4W হল হাই-পাওয়ার RF, এবং তাপ হল সবচেয়ে বড় পারফরম্যান্স কিলার।

• ব্যাপকভাবে ভিন্ন দক্ষতা, ব্যাপকভাবে ভিন্ন তাপ উৎপাদন : সাধারণ সিলিকন চিপগুলি 4W এ খুব অদক্ষ, প্রায়শই মাত্র 30%-40%। 4W আউটপুট করতে, তাদের আঁকতে হবে  10W এর বেশি শক্তি  -অতিরিক্ত 6W তাপ হিসাবে নষ্ট হয়ে যায়। GaAs,>55% দক্ষতা সহ, প্রায়  7W ড্র করে, মোটামুটি  একই 4W আউটপুট করতে  অর্ধেক তাপ উৎপন্ন করে.

• স্করচিং হট বনাম স্পর্শে উষ্ণ : একটি সিলিকন-ভিত্তিক ট্রান্সমিটার 5 মিনিটের মধ্যে স্পর্শ করার জন্য খুব গরম হয়ে যাবে (সহজেই 70° সেন্টিগ্রেডের বেশি)। এটি শুধুমাত্র ডিভাইসের জীবনকালকে ছোট করে না বরং তাপীয় থ্রোটলিংকেও ট্রিগার করতে পারে, মডিউলটিকে শক্তি কমাতে বাধ্য করে (যার ফলে ফ্রেম ড্রপ হয়)। একটি GaAs মডিউল, বিপরীতে, শুধুমাত্র উষ্ণ থাকে (প্রায় 50-55°C) এবং  বর্ধিত সময়ের জন্য ক্রমাগত পূর্ণ শক্তিতে চলতে পারে - পেশাদার নির্ভরযোগ্যতার একটি মূল কারণ।

3. ছবির গুণমান এবং হস্তক্ষেপ প্রতিরোধ (স্বচ্ছতা এবং বিশুদ্ধতা)

ভিডিও ট্রান্সমিশনের জন্য শুধু পরিসর নয়, স্বচ্ছতারও প্রয়োজন।

• সুপিরিয়র সিগন্যাল-টু-নয়েজ রেশিও (SNR) : GaAs চিপগুলির স্বভাবতই কম নয়েজ ফিগার থাকে এবং খুব কম নকল সিগন্যাল তৈরি করে। এর মানে হল জটিল ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক পরিবেশে (উদাহরণস্বরূপ, শহুরে এলাকা, জনাকীর্ণ ড্রোন ইভেন্ট), প্রেরিত সংকেত 'ক্লিনার'। রিসিভিং এন্ডটি  কম শব্দ এবং আরও সঠিক রঙের একটি ইমেজ পায় , সিলিকন সলিউশন দুর্বল-সংকেত অবস্থায় যে ভারী ম্যাক্রো-ব্লকিং ব্যতীত ভোগে।

• সহজে উচ্চ বিট্রেট পরিচালনা করে : 4K/8K HD ভিডিওর জন্য, সংকেত বিকৃতি কমাতে উচ্চ রৈখিকতার প্রয়োজন। GaAs স্বাভাবিকভাবেই জটিল মড্যুলেশন পরিচালনা করে (যেমন OFDM), সহজে উচ্চ বিটরেট সমর্থন করে। সিলিকন চিপগুলি, তবে, উচ্চ শক্তিতে গুরুতর অ-রৈখিক বিকৃতিতে ভুগছে, মডুলেশন নির্ভুলতা (ইভিএম) অবনমিত করে এবং হ্রাস করতে সিস্টেমকে বাধ্য করে ।বলিদানকারী চিত্রের স্বচ্ছতা  সংযোগের স্থায়িত্বের জন্য বিটরেট-

দ্রুত তুলনা টেবিল

নীচের লাইন পরামর্শ

আপনি যদি মজা করার জন্য কাছাকাছি উড়ে যান, একটি সস্তা সিলিকন-ভিত্তিক মডিউল কাজটি সম্পন্ন করতে পারে। কিন্তু আপনি যদি  আপনার ফ্লাইটের সবচেয়ে দূরত্বে রক-সলিড ভিডিও চান  বা উচ্চ-হস্তক্ষেপ পরিবেশে কাজ করতে চান তবে GaAs-এ অতিরিক্ত বিনিয়োগ  নিম্ন তাপমাত্রা, দীর্ঘ ব্যাটারি লাইফ এবং ধারাবাহিকভাবে পরিষ্কার HD ভিডিওর মাধ্যমে পরিশোধ করে । এই কারণেই এটি পেশাদার বায়বীয় ফটোগ্রাফি এবং পরিদর্শন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে আদর্শ পছন্দ।

আমি